IPD09N03LB G
Номер детали производителя | IPD09N03LB G |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
Упаковка | PG-TO252-3-11 |
В наличии | 6756 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009IPx09N03LB G |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6756 Infineon Technologies IPD09N03LB G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO252-3-11 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 50A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 58W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPD09N |
Рекомендуемые продукты
-
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-K-R
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD090N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies -
IPD088N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-GP-M
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-P-M
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-K-M
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-GP-R
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3Infineon Technologies -
IPD088N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3Infineon Technologies -
IPD1-02-D-M
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-P
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-GP
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD1-02-D-K
CONN RCPT HSG 4POS 2.54MMSamtec Inc. -
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Infineon Technologies